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BFR 193L3 E6327 /射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR 193L3 E6327的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

系列:BFR193L3

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:20 V

直流电流增益 hFE 最大值:70 at 30 mA at 8 V

高度:1 mm

长度:2.9 mm

工作频率:8000 MHz

类型:RF Bipolar Small Signal

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

最大直流电集电极电流:0.08 A

Pd-功率耗散:580 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:15000

子类别:Transistors

零件号别名:BFR193L3E6327XT BFR193L3E6327XTMA1 SP000013557

单位重量:8 mg

供应商BFR 193L3 E6327
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深圳市高捷芯城科技有限公司BFR 193L3 E6327深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BFR 193L3 E6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城BFR 193L3 E6327深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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Digi-Key 得捷电子		BFR 193L3 E6327InfineonRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品15000+:￥1.19
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